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Rui Carlos

Samsung desenvolve nova memória Flash

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Pelo oitavo ano consecutivo, duplica a capacidade das memórias flash da Samsung. O feito foi conhecido hoje com a apresentação de uma memória flash com circuitos de 30 nanómetros.

A Samsung anunciou que desenvolveu um modelo de memória NAND Flash, com circuitos de de 30 nanómetros e capacidade de 64Gigabits (8GB). Tanto na dimensão como na capacidade, a líder do fabrico de memórias flash consegue criar dois marcos: pelo oitavo ano consecutivo, a Samsung consegue duplicar a capacidade das memórias flash e, pelo sétimo ano consecutivo, a duplicação da capacidade é acompanhada por uma redução das dimensões dos circuitos.

[...]

Fonte: http://exameinformatica.sapo.pt/noticias/hardware/2007-01-01-samsung-desenvolve-nova-memoria-flash

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